[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置在审
申请号: | 201410852998.8 | 申请日: | 2014-12-31 |
公开(公告)号: | CN104538352A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 刘翔 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置,其中,该阵列基板包括:第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管形成于衬底基板的上方,第一薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管,第二薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶硅管或非晶硅薄膜晶体管,第一薄膜晶体管位于阵列基板的周边区域,第二薄膜晶体管位于阵列基板的显示区域。本发明的技术方案可有效的解决多晶硅薄膜晶体管无法应用于6G以上的大尺寸显示面板的生产的问题,彻底突破准分子激光晶化工艺瓶颈的限制,有非常高的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:在衬底基板的上方形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管位于所述阵列基板的周边区域,所述第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造