[发明专利]分栅式闪存及其制作方法

摘要

一种分栅式闪存及其制作方法。所述分栅式闪存包括：半导体衬底，包括源线和位线；字线；第一存储位单元，位于字线和源线之间的半导体衬底上，从下至上依次包括：第一浮栅介质层、第一浮栅、第一控制栅介质层、第一控制栅、第一阻挡层和第一硅化钨层；第二存储位单元，位于字线和位线之间的半导体衬底上，从下至上依次包括：第二浮栅介质层、第二浮栅、第二控制栅介质层、第二控制栅、第二阻挡层和第二硅化钨层；隧穿氧化层；三个金属硅化层，分别设置于源线上、位线上和字线上；五个金属插塞，分别设置于第一硅化钨层上、第二硅化钨层上以及三个金属硅化层上。本发明可减少控制栅上金属插塞的数量，最终减小分栅式闪存的面积。

主权项

一种分栅式闪存，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中具有间隔设置的源线和位线；字线，设置于所述源线和所述位线之间的半导体衬底上；第一存储位单元，位于所述字线和所述源线之间的半导体衬底上，所述第一存储位单元从下至上依次包括：第一浮栅介质层、第一浮栅、第一控制栅介质层、第一控制栅、第一阻挡层和第一硅化钨层；第二存储位单元，位于所述字线和所述位线之间的半导体衬底上，所述第二存储位单元从下至上依次包括：第二浮栅介质层、第二浮栅、第二控制栅介质层、第二控制栅、第二阻挡层和第二硅化钨层；隧穿氧化层，位于所述字线与所述半导体衬底、所述字线与所述第一存储位单元之间以及所述字线与所述第二存储位之间；三个金属硅化层，分别设置于所述源线上、所述位线上和所述字线上；五个金属插塞，分别设置于所述第一硅化钨层上、所述第二硅化钨层上以及三个所述金属硅化层上。