[发明专利]电压产生电路和存储器在审
| 申请号： | 201410855162.3 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104485131A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 胡剑;杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电压产生电路和存储器，在电压产生电路中，所述第一NMOS管和第一PMOS管并联，第一PMOS管的第一端并适于输入第一电压信号，所述第一PMOS管的第二端适于输出第二电压信号，所述第一NMOS管的第三端适于输入第三电压信号，所述第一PMOS管的第三端适于输入第四电压信号；所述第二PMOS管和第二NMOS管串联，所述控制单元适于控制所述第二PMOS管处于导通状态且所述第二NMOS管处于截止状态，或者控制所述第二PMOS管处于截止状态并输出控制信号至所述第二NMOS管的第三端，所述控制信号为脉冲信号，所述脉冲信号的占空比小于50％。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 产生 电路 存储器 | ||
【主权项】：
一种电压产生电路，其特征在于，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、控制单元和第一电容；所述第一NMOS管的第一端连接所述第一PMOS管的第一端并适于输入第一电压信号，所述第一NMOS管的第二端连接所述第一PMOS管的第二端并适于输出第二电压信号，所述第一NMOS管的第三端适于输入第三电压信号，所述第一PMOS管的第三端适于输入第四电压信号；所述第二PMOS管的第一端适于输入所述第一电压信号，所述第二PMOS管的第二端连接所述第二NMOS管的第一端和第一电容的一端并适于输出所述第四电压信号；所述第二NMOS管的第二端和所述第一电容的另一端均接地；所述控制单元适于在所述第二电压信号的电压值小于电压阈值时，控制所述第二PMOS管处于导通状态且所述第二NMOS管处于截止状态；在所述第二电压信号的电压值大于或等于所述电压阈值时，控制所述第二PMOS管处于截止状态并输出控制信号至所述第二NMOS管的第三端，所述控制信号为脉冲信号，所述脉冲信号的占空比小于50％，所述脉冲信号的脉冲幅度与所述第一电压信号的电压值相等；所述第一端和第二端中的一个为源极、另一个为漏极，所述第三端为栅极。
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