[发明专利]一种全向双圆极化天线在审
申请号: | 201410855494.1 | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN104505578A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 周斌;耿军平;梁仙灵;金荣洪;王文智 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q21/00 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中;刘翠 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供的一种全向双圆极化天线,天线整体为同轴结构,同轴设置的内、外导体间填充介质,天线辐射结构的外导体导体壁上开互相垂直(夹角90度)的矩形缝隙,以相互垂直的上下缝隙为一组,形成缝隙对,导体壁的外圆周一圈开四组缝隙对组成辐射单元,四组辐射单元上下排列组成辐射阵列,此为天线辐射段。天线辐射结构的上下两端分别作为双圆极化的两个馈电端口,采用同轴渐变线结构将接口变为实际SMA接口尺寸进行射频馈电。本实施例全向性能以及双圆极化性能良好,工作频带从5.1-5.9GHz,-15dB隔离带宽12.8%,隔离带宽内反射系数小于-10dB,带内全向面增益3dBic-7dBic,全向面平均轴比小于3dB。 | ||
搜索关键词: | 一种 全向 极化 天线 | ||
【主权项】:
一种全向双圆极化天线,其特征在于,包括同轴的天线辐射结构和射频激励结构,所述射频激励结构包括上端射频激励结构和下端射频激励结构,所述上端射频激励结构和下端射频激励结构分别设置于天线辐射结构的上端和下端,进行射频激励;所述上端射频激励结构采用第一SMA馈线接头进行馈电形成左旋圆极化方式SMA射频激励端口,所述下端射频激励结构采用第二SMA馈线接头进行馈电形成右旋圆极化方式的SMA射频激励端口,实现左旋和右旋双圆极化特性;所述天线辐射结构包括同轴设置的内导体I和外导体I,所述天线辐射结构的外导体的导体壁上开有多组辐射单元,其中,每一组辐射单元均包括四组缝隙对,每一组缝隙对中均包括两个相互垂直的矩形缝隙,每一组辐射单元中的四对矩形缝隙沿天线辐射结构的外导体导体壁的外圆周一圈设置,实现天线的全向辐射;多组辐射单元形成上下排列的辐射阵列。
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