[发明专利]一种或非门闪存存储器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种或非门闪存存储器及其制作方法，该方法包括：刻蚀半导体衬底，形成有源区和沟道区，沟道区延伸至基底内，露出基底；在沟道区内露出的基底的底部及侧壁形成隧穿栅氧层；在基底底部的隧穿栅氧层之上形成浮栅层，浮栅层上表面的高度高于基底上表面的高度，且浮栅层上表面的高度低于牺牲层上表面的高度；在浮栅层之上以及浮栅层之上的沟道区侧壁形成层间介电质层；在浮栅层之上的层间介电质层之上形成控制栅层；刻蚀牺牲层及沟道区侧壁的层间介电质层，露出基底；在浮删层两侧露出的基底表面分别形成源极和漏极。本发明所述的或非门闪存存储器及其制作方法能够使得或非门闪存存储器微缩到45纳米以下，且制作工艺简单、适合量产。

主权项

1.一种或非门闪存存储器的制作方法，其特征在于，包括：刻蚀半导体衬底，形成有源区和沟道区，所述半导体衬底由基底和牺牲层依次层叠而成，所述沟道区延伸至所述基底内，露出所述基底；在所述沟道区内露出的所述基底的底部及侧壁形成隧穿栅氧层；在所述基底底部的隧穿栅氧层之上形成浮栅层，所述浮栅层上表面的高度高于所述基底上表面的高度，且所述浮栅层上表面的高度低于所述牺牲层上表面的高度；在所述浮栅层之上以及所述浮栅层之上的沟道区侧壁形成层间介电质层；在所述浮栅层之上的层间介电质层之上形成控制栅层；刻蚀所述牺牲层及沟道区侧壁的层间介电质层，露出所述基底；在所述浮栅层两侧露出的所述基底表面分别形成源极和漏极；所述牺牲层包括自下而上依次层叠的氧化层和氮化硅层，所述刻蚀半导体衬底，形成有源区和沟道区之前，所述方法还包括：提供硅衬底；在所述硅衬底之上形成氧化层；在所述硅衬底内注入P型离子，形成基底；在所述氧化层之上形成氮化硅层。