[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410856397.4 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104617132A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 卢昶鸣 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法，方法包括：在栅极金属层上制作形成层间介质层；在层间介质层上形成光阻层，并对光阻层进行第一次退光阻以露出第一面积的层间介质层；对第一面积的层间介质层进行蚀刻以形成第一凹陷区；对光阻层进行第二次退光阻以露出第二面积的层间介质层；对第二面积的层间介质层和第一凹陷区进行蚀刻，以使得第一凹陷区的周边形成阶梯式的第二凹陷区。本发明实施例通过在层间介质层设置阶梯式的凹陷区通道，使得在凹陷区通道内制作源极、漏极金属层时，可以避免凹陷区通道的棱角触碰造成断线的问题，也可以避免源极、漏极金属无法填满凹陷区通道而形成空隙、导致产品可靠度低的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在栅极金属层上采用包括氧化硅和氮化硅材料制作形成层间介质层；在所述层间介质层上形成光阻层，并对所述光阻层进行第一次退光阻以露出第一面积的层间介质层；对所述第一面积的层间介质层进行蚀刻以形成第一凹陷区；对所述光阻层进行第二次退光阻以露出第二面积的层间介质层，其中，所述第一凹陷区位于所述第二面积的层间介质层中；对所述第二面积的层间介质层和所述第一凹陷区进行蚀刻，以使得所述第一凹陷区的周边形成阶梯式的第二凹陷区。
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