[发明专利]基于片上电感的宽带低噪声放大器在审
| 申请号： | 201410856705.3 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104506146A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 李琛 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于片上电感的低噪声放大器，其包括输入端、输入阻抗匹配电路、放大电路和输出端，其中输入阻抗匹配电路包含：第一电感，与所述低噪声放大器的输入端相连；第一NMOS晶体管，其栅极连接所述第一电感；第一电容，连接于所述第一NMOS晶体管的栅极与源极之间；以及并联的第二电感与第二电容，其一端与所述第一NMOS晶体管的源极相连，另一端接地。本发明的低噪声放大器可摆脱无源器件对频率的限制，实现宽带的频谱响应。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电感 宽带 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
一种基于片上电感的低噪声放大器，其包括输入端、输入阻抗匹配电路、放大电路和输出端，其特征在于，所述输入阻抗匹配电路包含：第一电感，与所述低噪声放大器的输入端相连；第一NMOS晶体管，其栅极连接所述第一电感；第一电容，连接于所述第一NMOS晶体管的栅极与源极之间；以及并联的第二电感与第二电容，其一端与所述第一NMOS晶体管的源极相连，另一端接地。
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