[发明专利]空气隙的形成方法

摘要

本发明公开了一种空气隙的形成方法，首先采用了非晶碳硬掩膜技术，可以满足关键尺寸持续缩小的光刻、刻蚀技术要求，接着通过在图形化后的非晶碳层侧壁沉积非晶碳保护层，将非晶碳保护层转移到后续填充金属的侧壁上，从而防止金属互连线的侧壁被腐蚀和氧化，有利于控制金属互连线的尺寸，提高金属互连线的可靠性，并尽可能控制金属互连线的底部过刻蚀问题，提高Cu‑first集成方案的可行性和产品良率，增加产品应用的可能性。

主权项

一种空气隙的形成方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，提供一硅片衬底，并在硅片衬底上依次沉积阻挡层、籽晶层和非晶碳层；步骤S02，图形化所述非晶碳层，以在所述非晶碳层中形成至少一个用于填充金属的沟槽；步骤S03，在所述非晶碳层沟槽的侧壁形成非晶碳保护层，向所述非晶碳层表面沉积非晶碳保护层之后，干法刻蚀去除所述沟槽底部以及非晶碳层顶部的非晶碳保护层，保留沟槽侧壁的非晶碳保护层；步骤S04，向所述沟槽内填充金属，形成金属图形；步骤S05，去除所述非晶碳层以及非晶碳层下方的籽晶层和阻挡层，使所述金属图形中形成空隙，并将所述非晶碳保护层转移至金属图形侧壁，并形成侧壁保护；步骤S06，在所述金属图形上沉积介质层，在所述空隙处形成空气隙。