[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201410858160.X | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN104733499B | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 李瑛长;郑浩永 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/786;H01L29/423;H01L21/44;H01L21/02;H01L21/34;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 有机发光二极管显示装置及其制造方法。一种有机发光二极管显示装置包括:基板;基板上的选通线和数据线;与选通线和数据线连接的开关薄膜晶体管;与开关薄膜晶体管连接并包括第一半导体层的驱动薄膜晶体管;与驱动薄膜晶体管的栅极和漏极连接的存储电容器;与漏极连接并发光的发光二极管,其中,存储电容器包括与漏极连接的第一电容器电极和与栅极连接的第二电容器电极,其中,在第一电容器电极和第二电容器电极之间设置缓冲层、第二半导体层和栅绝缘层,栅绝缘层具有暴露第二半导体层的至少一个孔。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造有机发光二极管显示装置的方法,该方法包括:在基板上方形成第一电容器电极;在所述第一电容器电极上方形成缓冲层;在所述缓冲层上方形成第一半导体层和第二半导体层;在所述第一半导体层和所述第二半导体层上方形成栅绝缘层;通过图案化所述栅绝缘层形成暴露所述第二半导体层的至少一个孔;在所述栅绝缘层上方形成栅极和第二电容器电极,其中,所述第二电容器电极通过所述至少一个孔接触所述第二半导体层;在所述栅极和所述第二电容器电极上方形成中间绝缘层;在所述中间绝缘层上方形成源极和漏极;以及形成与所述漏极连接并发光的发光二极管,其中,所述第一电容器电极与所述漏极连接,并且所述第二电容器电极与所述栅极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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