[发明专利]纳米结构材料叠层转移方法和装置有效
| 申请号： | 201410858340.8 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104952698B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | M·沈;N·吴;Y·翟;S·南;J·A·罗杰斯;B·H·金;S·Y·杨;P·特雷弗纳斯;K·德什潘德;J·周;J·J·张;朴钟根 | 申请（专利权）人： | 伊利诺斯州立大学托管会;罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/78;H01L29/06;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 王颖 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一个方面中，提供了用于制造多层纳米结构材料复合物的方法，以及通过这样的方法制造的装置。在另一个方面中，提供了包括使用饰面含氟层来帮助纳米结构材料层的转移的方法，以及通过这样的方法制造的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米结构材料 制造 多层纳米结构 材料复合物 方法和装置 含氟层 叠层 饰面 帮助 | ||
【主权项】：
1.一种制造纳米结构材料复合物的方法，包含：(a)在第一基底上提供多层复合物，所述多层复合物包含1)纳米结构材料层和2)不同于纳米结构材料层的一个或多个额外的功能层；(b)将多层复合物转移至第二基底，其中，多层复合物进一步包含饰面含氟层，且其中，所述多层复合物通过饰面含氟层与印记接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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