[发明专利]SIIS 2级传感器的偏距延长器在审
申请号: | 201410858456.1 | 申请日: | 2014-12-05 |
公开(公告)号: | CN104821903A | 公开(公告)日: | 2015-08-05 |
发明(设计)人: | R·德梅洛 | 申请(专利权)人: | 通用电气石油和天然气英国有限公司 |
主分类号: | H04L12/40 | 分类号: | H04L12/40;H04L12/44 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 叶晓勇;姜甜 |
地址: | 英国布*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 本发明题为SIIS 2级传感器的偏距延长器。一种增加水下传感器的最大偏距的方法,包括如下步骤:在传感器总线上提供至少一个传感器,以及在传感器总线上仿真至少一个附加传感器。这具有降低总网络电阻的效果,其增加最大可能偏距。附加传感器(或多个传感器)由以下中的一个仿真:智能插入式模块、印刷电路板组装件和虚拟传感器。 | ||
搜索关键词: | siis 传感器 延长 | ||
【主权项】:
一种用于增加水下传感器的最大偏距的方法,包括如下步骤:提供包括至少一个传感器的传感器总线,以及在所述传感器总线上仿真至少一个附加传感器。
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