[发明专利]光刻方法在审
| 申请号： | 201410858501.3 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105022224A | 公开（公告）日： | 2015-11-04 |
| 发明（设计）人： | 朴钟根;C·N·李;C·安德斯;李忠奉 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/11 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 樊云飞 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造电子设备的方法，依次包括以下步骤：(a)提供包括一个或多个要图案化的层的半导体基材；(b)在所述一个或多个要图案化的层上形成光致抗蚀剂层，其中光致抗蚀剂层由包括以下组分的组合物制成：包括具有酸不稳定基团的单元的基体聚合物；光致酸产生剂；和有机溶剂；(c)在光致抗蚀剂层上涂覆光致抗蚀剂保护层组合物，其中保护层组合物包括淬灭聚合物和有机溶剂，其中所述淬灭聚合物包括含碱性部分的单元，其有效中和了在光致抗蚀剂层的表面区域内由光致酸产生剂产生的酸；(d)将光致抗蚀剂层曝光于活化辐射下；(e)在曝光后烘烤工艺中加热基材；和(f)将曝光的膜用有机溶剂显影剂显影。所述方法特别适用于半导体制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种制造电子设备的方法，依次包括以下步骤：(a)提供包括一个或多个要图案化的层的半导体基材；(b)在所述一个或多个要图案化的层上形成光致抗蚀剂层，其中光致抗蚀剂层由包括以下组分的组合物形成：包括具有酸不稳定基团的单元的基体聚合物；光致酸产生剂；和有机溶剂；(c)在光致抗蚀剂层上涂覆光致抗蚀剂保护层组合物，其中所述保护层组合物包括淬灭聚合物和有机溶剂，其中所述淬灭聚合物包括含碱性部分的单元，其有效中和了在光致抗蚀剂层的表面区域内由光致酸产生剂产生的酸；(d)将光致抗蚀剂层曝光于活化辐射下；(e)在曝光后烘烤工艺中加热基材；和(f)将曝光的膜用有机溶剂显影剂显影。
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