[发明专利]包括光提取改型的发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201410858576.1 | 申请日： | 2002-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN104835886A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | D·B·小斯拉特;R·C·格拉斯;C·M·斯沃波达;B·凯勒;J·伊贝特森;B·蒂贝奥尔特;E·J·塔萨 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;姜甜 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 发光二极管包括一个有第一和第二相对面的衬底，该衬底对预定波长范围内的光辐射是透明的，并被构图以在横截面内确定从第一面向第二面伸展进入衬底的多个支座。第二面上的二极管区这样设定：当在二极管区施加电压时，发射预定波长范围内的光进入衬底。在二极管区上、与衬底相对的安装支架被配置成支持二极管区，使得当在二极管区施加电压时，从二极管区发射进入衬底的光是从第一面发出。衬底的第一面可以包括在衬底内确定多个三角形支座的多个槽。槽可以包括锥形侧壁和/或斜面的底层。衬底的第一面也可以包括通孔阵列。通孔可以包括锥形侧壁和/或底层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 提取 改型 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：衬底；在所述衬底上的二极管区，二极管区包括基于N‑型层的氮化镓、有源区和基于P‑型层的氮化镓；在所述基于P‑型层的氮化镓上的第一透明氧化层；在所述衬底上的远离所述二极管区的第二透明氧化层；在所述第一透明氧化层上的远离所述基于P‑型层的氮化镓的第一反射器层；以及在所述第二透明氧化层上的远离所述衬底的第二反射器层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于克里公司，未经克里公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410858576.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
