[实用新型]一种背凹超减薄晶圆的出片电性测试装置有效
| 申请号： | 201420000853.0 | 申请日： | 2014-01-01 |
| 公开（公告）号： | CN203733763U | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李磊;邓丹 | 申请（专利权）人： | 长沙创芯集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410100 湖南省长沙*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及出片电性测试技术领域，公开了一种背凹超减薄晶圆的出片电性测试装置，包括测试台盘，还包括设于测试台盘上用于对背凹超减薄晶圆进行限位的晶圆限位装置，设于测试台盘上对背凹超减薄晶圆背面进行吸附的真空槽，设于测试台盘内的导腔管道，设于导腔上并与测试台盘上表面连通的多个孔道，设于导腔管道上的二位三通阀，与二位三通阀连通的真空泵和U型管，以及填充于U型管内的导电材料，并且所述二位三通阀还与真空槽连通。本实用新型实现了背凹超减薄晶圆的出片电性测试并获取测试参数，可用于指导制程的改善，提高了背凹超减薄晶圆的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背凹超减薄晶圆 出片电性 测试 装置 | ||
【主权项】：
一种背凹超减薄晶圆的出片电性测试装置，包括测试台盘（1），其特征在于：还包括设于测试台盘（1）上用于对背凹超减薄晶圆（9）进行限位的晶圆限位装置，设于测试台盘（1）上对背凹超减薄晶圆（9）背面进行吸附的真空槽（2），设于测试台盘（1）内的导腔管道（4），设于导腔（4）上并与测试台盘（1）上表面连通的多个孔道（3），设于导腔管道（4）上的二位三通阀（5），与二位三通阀（5）连通的真空泵（6）和U型管（7），以及填充于U型管（7）内的导电材料（8），并且所述二位三通阀（5）还与真空槽（2）连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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