[实用新型]GaN基UV探测传感器有效
| 申请号： | 201420009212.1 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN203800065U | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 黄慧诗;郭文平;柯志杰;邓群雄;闫晓密 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/108 | 分类号： | H01L31/108;H01L31/0304;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;刘海 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种GaN基UV探测传感器，包括衬底，其特征是：在所述衬底上表面依次设置U-GaN层、AlGaN层和N型GaN层，在N型GaN层上表面分别设置欧姆电极和肖特基电极。所述欧姆电极为Ti/Al/Ti/Au金属层。所述肖特基电极的材质为金属Pt。所述欧姆电极与肖特基电极之间存在一定距离。所述衬底为蓝宝石衬底。本实用新型有效降低了传感器的漏电流，提高了传感器的响应度；并且生产工艺简单、需求设备少、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | gan uv 探测 传感器 | ||
【主权项】：
一种GaN基UV探测传感器，包括衬底（1），其特征是：在所述衬底（1）上表面依次设置U‑GaN层（2）、AlGaN层（3）和N型GaN层（4），在N型GaN层（4）上表面分别设置欧姆电极（5）和肖特基电极（6）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
