[实用新型]改善内圈波长均匀性及拉近各圈波长均值的石墨盘有效
申请号: | 201420009329.X | 申请日: | 2014-01-07 |
公开(公告)号: | CN203794982U | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 钟玉煌;姜红苓;田淑芬 | 申请(专利权)人: | 江苏新广联科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214192 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种石墨盘,尤其是一种改善内圈波长均匀性及拉近各圈波长均值的石墨盘,属于MOCVD用石墨盘的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案,所述改善内圈波长均匀性及拉近各圈波长均值的石墨盘,包括盘体及设置于所述盘体内若干均匀分布的凹盘位;所述凹盘位包括内圈盘位及位于所述内圈盘位外圈的外圈盘位;所述内圈盘位及外圈盘位均包括第一台阶、位于第一台阶下方的第二台阶及位于第二台阶下方的弧形底;所述内圈盘位第二台阶的高度为40~100μm,所述外圈盘位的第二台阶的高度比内圈盘位第二台阶的高度低5~25μm。本实用新型结构紧凑,能缩小各圈波长宽度并改善内圈均匀性,适应范围广,安全可靠。 | ||
搜索关键词: | 改善 内圈 波长 均匀 拉近 均值 石墨 | ||
【主权项】:
一种改善内圈波长均匀性及拉近各圈波长均值的石墨盘,包括盘体(1)及设置于所述盘体(1)内若干均匀分布的凹盘位(2);所述凹盘位(2)包括内圈盘位及位于所述内圈盘位外圈的外圈盘位;所述内圈盘位及外圈盘位均包括第一台阶(3)、位于第一台阶(3)下方的第二台阶(4)及位于第二台阶(4)下方的弧形底(5);其特征是:所述内圈盘位第二台阶(4)的高度为40~100μm,所述外圈盘位的第二台阶(4)的高度比内圈盘位第二台阶(4)的高度低5~25μm。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的