[实用新型]finFET结构有效
| 申请号： | 201420017133.5 | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN203967092U | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 柳青;王俊利 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种finFET结构，所述finFET结构包括为多个finFET形成的多个鳍部，所述多个鳍部的第一部分由与所述第一部分相邻的支撑结构支撑，所述第一部分在所述多个鳍部与衬底之间的空隙之上。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 结构 | ||
【主权项】：
一种finFET结构，其特征在于，所述finFET结构包括为多个finFET形成的多个鳍部，所述多个鳍部的第一部分由与所述第一部分相邻的支撑结构支撑，所述第一部分在所述多个鳍部与衬底之间的空隙之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体公司;国际商业机器公司，未经意法半导体公司;国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420017133.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高反射率背接触式太阳电池背膜
- 下一篇：陶瓷无引线片式载体底座
- 同类专利
- 专利分类
