[实用新型]一种制备纳米级羟基氧化钴的装置有效
| 申请号： | 201420018909.5 | 申请日： | 2014-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN203668025U | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 郭学益;辛云涛;王恒利;田庆华;李栋 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 邓建辉 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种制备纳米级羟基氧化钴的装置，包括一个高压反应釜(0)，所述的高压反应釜(0)的内底部设有曝气装置，串联的空气压缩机(11)和臭氧发生装置与所述的曝气装置连接，所述的高压反应釜(0)内设有温度调节装置和搅拌装置，所述的高压反应釜(0)上设有进液口(4)、排液口(41)和出气口(14)，所述的出气口(14)内设有减压阀(5)。本实用新型是一种简单高效且产品质量高的生产羟基氧化钴的制备纳米级羟基氧化钴的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 羟基 氧化钴 装置 | ||
【主权项】：
一种制备纳米级羟基氧化钴的装置，其特征在于：包括一个高压反应釜(0)，所述的高压反应釜(0)的内底部设有曝气装置，串联的空气压缩机(11)和臭氧发生装置与所述的曝气装置连接，所述的高压反应釜(0)内设有温度调节装置和搅拌装置，所述的高压反应釜(0)上设有进液口(4)、排液口(41)和出气口(14)，所述的出气口(14)内设有减压阀(5)。
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