[实用新型]可提高发光效率的外延PGaN层生长结构

摘要

本实用新型涉及一种新型的外延P型GaN层生长结构，尤其是一种可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，属于半导体外延结构的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，包括衬底及生长于所述衬底上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括生长于衬底上的缓冲层，所述缓冲层上生长有N型化合物半导体材料层，所述N型化合物半导体材料层上生长有有源层；所述有源层上生长有电子溢出阻挡层；所述电子溢出阻挡层上生长P型化合物半导体材料层，所述P型化合物半导体材料层内生长有P型InGaN-GaN超晶格层。本实用新型结构紧凑，能显著提高发光效率，工艺方便，安全可靠。

主权项

一种可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，包括衬底（1）及生长于所述衬底（1）上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括生长于衬底（1）上的缓冲层（2），所述缓冲层（2）上生长有N型化合物半导体材料层（3），所述N型化合物半导体材料层（3）上生长有有源层（4）；所述有源层（4）上生长有电子溢出阻挡层（5）；其特征是：所述电子溢出阻挡层（5）上生长P型化合物半导体材料层（6），所述P型化合物半导体材料层（6）内生长有P型InGaN‑GaN超晶格层（7）。