[实用新型]一种双管串联升压电路有效
| 申请号： | 201420030985.8 | 申请日： | 2014-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN203734533U | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 陈尤 | 申请（专利权）人： | 无锡市金赛德电子有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/155 | 分类号： | H02M3/155 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种双管串联升压电路，包括MOS管Q1、二极管D1、电阻R1、MOS管Q2、稳压二极管D2及二极管D3。所述MOS管Q1的源极连接二极管D1的一端，二极管D1的另一端连接电阻R1的一端，MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的源极连接后的结点连接稳压二极管D2的一端，稳压二极管D2的另一端连接MOS管Q1的栅极、二极管D3的一端、电阻R1的另一端，二极管D3的另一端连接MOS管Q2的漏极。本实用新型将两个MOS管串联连接，降低了每个MOS管的耐压值，当输入电压为AC90V-AC750V时，即可选用耐压值为800V的常规MOS管，不仅大大降低了成本，而且提升了效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双管 串联 升压 电路 | ||
【主权项】：
一种双管串联升压电路，其特征在于，包括MOS管Q1、二极管D1、电阻R1、MOS管Q2、稳压二极管D2及二极管D3；其中，所述MOS管Q1的源极连接二极管D1的一端，二极管D1的另一端连接电阻R1的一端，MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的源极连接后的结点连接稳压二极管D2的一端，稳压二极管D2的另一端连接MOS管Q1的栅极、二极管D3的一端、电阻R1的另一端，二极管D3的另一端连接MOS管Q2的漏极。
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