[实用新型]一种原子层薄膜沉积进气装置有效
申请号: | 201420031395.7 | 申请日: | 2014-01-17 |
公开(公告)号: | CN203741412U | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 潘龙;陈添明;彭文芳 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 孟宪功 |
地址: | 100015 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型涉及原子层薄膜沉积技术领域,公开了一种原子层薄膜沉积进气装置。该原子层薄膜沉积进气装置包括:接头、接管和第一导流管;所述接管分别与所述第一接头和所述第一导流管连通,所述第一导流管两端分别安装有第一堵盖和第二堵盖,所述第一导流管的下部沿其轴向分别开有多个第一排气孔。本实用新型所提供的原子层薄膜沉积进气装置通过多个排气孔的设置,使得进气装置适用于多硅片批量处理,大幅增加了单位时间内的硅片产能,减弱了第一导流管和第二导流管的气场涡流,进一步的,卡套和第二接头通过螺纹连接可以根据不同的工艺需求,任意调节第一导流管的第一排气孔在反应腔室中的气流喷射方向,结构简单,加工成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 原子 薄膜 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种原子层薄膜沉积进气装置,其特征在于,包括:第一接头(1)、接管和第一导流管(9);所述接管分别与所述第一接头(1)和所述第一导流管(9)连通,所述第一导流管(9)两端分别安装有第一堵盖(8)和第二堵盖(11),所述第一导流管(9)的下部沿其轴向分别开有多个第一排气孔。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的