[实用新型]抑制单粒子效应电荷扩散的数字集成电路填充单元有效
| 申请号： | 201420035236.4 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN203721724U | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 姚素英;李渊清;史再峰;高静;徐江涛 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及微电子学中的抗辐射集成电路设计领域，为实现抑制SEE产生的电荷在芯片中的扩散，本实用新型采用的技术方案是，抑制单粒子效应电荷扩散的数字集成电路填充单元，填充单元上部的N阱向下延伸，下部的作为衬底接触的P型有源区向上延伸，形成图形形状，该图形形状构成保护环（Guard-Ring）或保护漏（Guard-Drain）结构。本实用新型主要应用于微电子学中的抗辐射集成电路设计。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 粒子 效应 电荷 扩散 数字集成电路 填充 单元 | ||
【主权项】：
一种抑制单粒子效应电荷扩散的数字集成电路填充单元，其特征是，填充单元上部的N阱向下延伸，下部的作为衬底接触的P型有源区向上延伸，形成图形形状，该图形形状构成保护环（Guard‑Ring）或保护漏（Guard‑Drain）结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
