[实用新型]一种高压可控硅他励驱动电源装置

摘要

本实用新型提出了一种高压可控硅他励驱动电源装置，包括：开关电源；单相逆变电路，单相逆变电路与开关电源相连，单相逆变电路包括：第一至第四金属氧化层半导体场效MOSFET晶体管，第一MOSFET管的漏极与开关电源和第二MOSFET管的漏极相连，第一MOSFET管的源级与第二MOSFET管的源级和第三MOSFET关的漏极相连，第三MOSFET管的源级与开关电源和第四MOSFET管的源级相连；电流环，电流环的一次侧与第二MOSFET管的源级和第四MOSFET管的漏极相连；门极驱动和保护电路，门极驱动和保护电路与电流环相连。本实用新型保证了驱动控制电路的安全稳定供能和高可靠性。

主权项

一种高压可控硅他励驱动电源装置，其特征在于，包括： 开关电源，所述开关电源包括： 第一整流单元，所述第一整流单元的输入端接市电； 第一滤波单元，所述第一滤波单元的输入端与所述第一整流单元的输出端相连； DC/DC变换单元，所述DC/DC变换单元的输入端与所述第一滤波单元的输出端相连； 电流型控制芯片，所述电流型控制芯片与所述DC/DC变换单元相连； 单相逆变电路，所述单相逆变电路与所述开关电源相连，所述单相逆变电路包括：第一至第四金属氧化层半导体场效MOSFET晶体管，所述第一MOSFET管的漏极与所述开关电源和所述第二MOSFET管的漏极相连，所述第一MOSFET管的源级与所述第二MOSFET管的源级和所述第三MOSFET管的漏极相连，所述第三MOSFET管的源级与所述开关电源和所述第四MOSFET管的源级相连； 电流环，所述电流环的一次侧与所述第二MOSFET管的源级和所述第四MOSFET管的漏极相连； 门极驱动和保护电路，所述门极驱动和保护电路与所述电流环相连。