[实用新型]一种新型功率半导体模块有效
申请号: | 201420040658.0 | 申请日: | 2014-01-22 |
公开(公告)号: | CN203760465U | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 贺东晓;尹建维 | 申请(专利权)人: | 扬州虹扬科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/373;H01L23/367 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 赵秀斌 |
地址: | 225116 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种新型功率半导体模块,包括芯片、DBC板、基板、硅胶保护层,所述芯片焊接在所述DBC板上,所述DBC板焊接在所述基板的上部表面上,所述硅胶保护层覆盖在所述芯片上,所述基板为复合板,所述复合板设有两层或两层以上,所述DBC板焊接在所述复合板的最上层的表面上。本实用新型实现了功率半导体模块和散热器一体化设计,免去了导热硅脂;功率半导体模块的芯片到散热器的总热阻降为Rjh=Rchip+Rsolder1+RDBC+Rsolder2+Rcuplate,降低了由于安装引起的机械应力,而且减小了热应力,可靠性提高,安装使用更加方便;同时其生产与国内现有设备和工艺兼容,生产成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】:
一种新型功率半导体模块,其特征在于:包括芯片、DBC板、基板、硅胶保护层,所述芯片焊接在所述DBC板上,所述DBC板焊接在所述基板的上部表面上,所述硅胶保护层覆盖在所述芯片上,所述基板为复合板,所述复合板设有两层或两层以上,所述DBC板焊接在所述复合板的最上层的表面上。
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