[实用新型]一种新型功率半导体模块有效

专利信息
申请号: 201420040658.0 申请日: 2014-01-22
公开(公告)号: CN203760465U 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 贺东晓;尹建维 申请(专利权)人: 扬州虹扬科技发展有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/373;H01L23/367
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 赵秀斌
地址: 225116 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种新型功率半导体模块,包括芯片、DBC板、基板、硅胶保护层,所述芯片焊接在所述DBC板上,所述DBC板焊接在所述基板的上部表面上,所述硅胶保护层覆盖在所述芯片上,所述基板为复合板,所述复合板设有两层或两层以上,所述DBC板焊接在所述复合板的最上层的表面上。本实用新型实现了功率半导体模块和散热器一体化设计,免去了导热硅脂;功率半导体模块的芯片到散热器的总热阻降为Rjh=Rchip+Rsolder1+RDBC+Rsolder2+Rcuplate,降低了由于安装引起的机械应力,而且减小了热应力,可靠性提高,安装使用更加方便;同时其生产与国内现有设备和工艺兼容,生产成本低。
搜索关键词: 一种 新型 功率 半导体 模块
【主权项】:
一种新型功率半导体模块,其特征在于:包括芯片、DBC板、基板、硅胶保护层,所述芯片焊接在所述DBC板上,所述DBC板焊接在所述基板的上部表面上,所述硅胶保护层覆盖在所述芯片上,所述基板为复合板,所述复合板设有两层或两层以上,所述DBC板焊接在所述复合板的最上层的表面上。
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