[实用新型]一种多层膜结构的多源调控的阻变存储器

摘要

本实用新型公开了一种多层膜结构的多场调控的阻变存储器。该阻变存储器是由压电基板、导电下电极、铁电薄膜层、上电极薄膜层和门电极组成；其中所述的压电基板为PMN-PT单晶；所述的导电下电极为锰氧化物薄膜；所述的铁电薄膜层为BaTiO₃或BiFeO₃铁电薄膜；所述的上电极层和门电极是Pt、Au或Al导电薄膜。本实用新型的存储器的制备过程为，在压电基板上沉积导电下电极薄膜层，然后沉积铁电薄膜单层或异质结，最后再沉积上电极薄膜和门电极。该结构的存储器具有优异电致阻变效应，且利用压电基板构建的场效应结构，可动态地调节电致阻变，实现了存储器件电阻态的多场调控，可提高存储器设计灵活度，该发明将对提高我国数据存储器件的制造具有重要的意义。

主权项

一种多层膜结构的多源调控的阻变存储器，包括铁电单晶基板（1）、导电下电极（2）、铁电薄膜层或异质结层（3）、上电极薄膜层（4）、门电极层（5）；其特征在于：导电下电极（2）设于铁电单晶基板（1）和铁电薄膜层或异质结层（3）之间，上电极薄膜层（4）设于顶层，门电极层（5）至于最下层。