[实用新型]一种半导体激光器芯片有效
| 申请号： | 201420064039.5 | 申请日： | 2014-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN203839701U | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 廉鹏 | 申请（专利权）人： | 廉鹏 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 郑自群 |
| 地址： | 100102 北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了一种半导体激光器芯片，包括：自下而上依次为N面散热结构、N面电极、N区外延层、有源区、P区外延层、P面电极和P面散热结构，所述N面电极通过生长衬底的转换方式形成。本实用新型的激光器芯片中的生长衬底能够重复利用，生长衬底的As不会带入激光器制备的后续工艺流程，降低工业废水的污染治理成本；避免了可能导致机械损伤的研磨过程，进而提高了半导体激光器的质量可靠性，使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 芯片 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器芯片，其特征在于，包括：自下而上依次为N面散热结构、N面电极、N区外延层、有源区、P区外延层、P面电极和P面散热结构，所述N面电极通过生长衬底的转换方式形成。
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