[实用新型]一种铸锭多晶硅晶体生长测量装置有效

专利信息
申请号: 201420066579.7 申请日: 2014-02-14
公开(公告)号: CN203807592U 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 杨秀凡;张殿喜;兰洵;周士芸;闫万珺;陈召松;杨丽;邓永荣;周鹏 申请(专利权)人: 安顺学院
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B28/06
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 谷庆红
地址: 561000 贵*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 实用新型公开了一种铸锭多晶硅晶体生长测量装置,包括铸锭炉及设置于铸锭炉上的测量部件,所述测量部件由固定支架及安装在固定支架上的长晶棒组成,所述长晶棒包括测量部分及操作读数部分,且操作读数部分设置为花纹状结构,所述固定支架包括安装板及固定在安装板上的支撑立柱,在支撑立柱上端固定有横杆,在横杆末端设置有固定环。采用本实用新型,解决了长晶棒易于滑落掉进铸锭炉内、测量读数误差的问题,同时可采用双手操作长晶棒,提高了测量的稳定性,避免单手操作时长晶棒易粘连在铸锭炉内造成事故;由于在长晶棒操作读数部分增加测量读数刻度,简化测量读数的传感器装置,提高测量精度,降低测量成本。
搜索关键词: 一种 铸锭 多晶 晶体生长 测量 装置
【主权项】:
一种铸锭多晶硅晶体生长测量装置,包括铸锭炉(1)及设置于铸锭炉(1)上的测量部件(2),其特征在于:所述测量部件(2)由固定支架(21)及安装在固定支架(21)上的长晶棒(22)组成,所述长晶棒(22)包括测量部分(221)及操作读数部分(222),且操作读数部分(222)设置为花纹状结构。
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