[实用新型]MOSFET功率器件的终端结构

摘要

本实用新型公开了一种MOSFET功率器件的终端结构，终端结构形成在终端区中，终端区环绕在主动区周侧；主动区中的P阱和N-外延层形成的PN结为主结；终端结构包括多晶硅场板、第一金属场板、第二金属场板、一个以上沟槽场环和一沟槽截止环；多晶硅场板由形成于主动区中的多晶硅栅延伸形成。沟槽截止环形成于终端区的最外侧，沟槽场环位于沟槽截止环和P阱之间；在第一介质层表面形成有第二介质层，第一和二金属场板形成于第二介质层表面；在横向上第一和二金属场板之间相隔一段距离，第一金属场板位于终端区的靠近P阱的一侧、第二金属场板位于终端区的靠近沟槽截止环的一侧。本实用新型能降低终端结构的占用面积、制作工艺难度和成本。

主权项

一种MOSFET功率器件的终端结构，其特征在于，包括：形成于N+掺杂的半导体衬底上的N‑外延层，所述N‑外延层包括主动区和终端区，所述终端区环绕在所述主动区周侧；在所述主动区中形成有P阱，在所述P阱中形成有由N+区组成的源区，由所述P阱和所述N‑外延层形成的PN结组成主结；在所述P阱上方形成有多晶硅栅，所述多晶硅栅和所述P阱之间隔离有栅介质层，所述多晶硅栅的一侧和所述源区对准、所述多晶硅栅的另一侧延伸到所述N‑外延层上方；在所述终端区中形成有终端结构，所述终端结构包括多晶硅场板、第一金属场板、第二金属场板、一个以上沟槽场环和一个沟槽截止环；所述多晶硅场板由所述多晶硅栅从所述主动区向所述终端区方向延伸的多晶硅组成，所述多晶硅场板和所述N‑外延层之间隔离有第一介质层，所述第一介质层的厚度大于所述栅介质层的厚度；所述沟槽截止环形成于所述终端区的最外侧；在所述第一介质层表面形成有第二介质层，所述第一金属场板和所述第二金属场板形成于所述第二介质层表面；在横向上所述第一金属场板和所述第二金属场板相隔一段距离，所述第一金属场板位于所述终端区的靠近所述P阱的一侧、所述第二金属场板位于所述终端区的靠近所述沟槽截止环的一侧；在横向上各所述沟槽场环位于所述沟槽截止环和所述P阱之间。