[实用新型]一种局域加热的硅片抛光装置有效
| 申请号： | 201420067363.2 | 申请日： | 2014-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN203882956U | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 季根华;刘锋;李翔 | 申请（专利权）人： | 苏州旭环光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215200 江苏省苏州市吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种局域加热的硅片抛光装置，包括滚轮、加热灯管、反射罩、传感器、槽体等。本实用新型结构合理，构造简单，相比整槽药液加热的抛光装置，因为采用了局域加热的设计，有如下优点：仅在硅片处进行加热，且无硅片时自动停止加热，故能耗更低，节约了设备使用成本；由于非加热处的药液温度较低，设备槽体可选择性价比更高的材质制造，节约了设备的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 局域 加热 硅片 抛光 装置 | ||
【主权项】：
一种局域加热的硅片抛光装置，所述装置包括滚轮（1）、加热灯管（2）、反射罩（3）、硅片探测器（4）及槽体（5），所述加热灯管（2）、所述反射罩（3）及所述硅片探测器（4）均位于所述槽体（5）上方，所述反射罩（3）位于所述加热灯管（2）正上方；其特征在于，加热方式为局域加热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
