[实用新型]一种TO220封装MOSFET多管并联模块有效
| 申请号： | 201420075970.3 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN203721719U | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 解晓锋 | 申请（专利权）人： | 西安新大良电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/367 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市高新区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种TO220封装MOSFET多管并联模块，其特征在于，包括：一散热基板，至少两组支架固定连接在所述散热基板上，每个支架的结构一致，包括一支架本体，所述支架本体一侧设置有注塑口，还包括一位于中部的中空区域的MOSFET多管芯片固定区域，一位于MOSFET多管芯片固定区域四周的若干个凹槽，所述凹槽处设置有喷胶口，所述喷胶口与注塑口内部相互连通，形成贯通腔体。本实用新型使得在封装MOSFET多管成功之后，硅胶通过注塑口从支架内部进行封装，使得MOSFET多管紧密贴合于支架上，且该设计散热性好，具有结构简单，使用方便的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 to220 封装 mosfet 并联 模块 | ||
【主权项】：
一种TO220封装MOSFET多管并联模块，其特征在于，包括：一散热基板，至少两组支架固定连接在所述散热基板上，每个支架的结构一致，包括一支架本体，所述支架本体一侧设置有注塑口，还包括一位于中部的中空区域的MOSFET多管芯片固定区域，一位于MOSFET多管芯片固定区域四周的若干个凹槽，所述凹槽处设置有喷胶口，所述喷胶口与注塑口内部相互连通，形成贯通腔体。
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