[实用新型]一种抗PID的晶体硅太阳能电池组件有效
| 申请号： | 201420084570.9 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN203859125U | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李正茂;李斐斐 | 申请（专利权）人： | 浙江正欣光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;H01L31/0216;H01L31/049 |
| 代理公司： | 杭州新源专利事务所(普通合伙) 33234 | 代理人： | 李大刚 |
| 地址： | 324002 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种抗PID的晶体硅太阳能电池组件，包括晶体硅太阳能电池(3)，晶体硅太阳能电池(3)的正面设有高体积电阻率透射膜（2），高体积电阻率透射膜（2）的上面设有钢化玻璃层（1）；所述晶体硅太阳能电池(3)的背面设有隔紫外线型EVA胶膜层（4），隔紫外线型EVA胶膜层（4）下面设有背板材料层（5）。本实用新型既可以解决晶体硅太阳能电池组件的电势诱导衰减问题，又最大限度地提高晶体硅太阳能电池组件的光电转化效率，同时，可以有效地保护太阳能电池组件的背板材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pid 晶体 太阳能电池 组件 | ||
【主权项】：
一种抗PID的晶体硅太阳能电池组件，其特征在于：包括晶体硅太阳能电池(3),晶体硅太阳能电池(3)的正面设有高体积电阻率透射膜(2)，高体积电阻率透射膜(2)的上面设有钢化玻璃层(1)；所述晶体硅太阳能电池(3)的背面设有隔紫外线型EVA胶膜层(4)，隔紫外线型EVA胶膜层(4)下面设有背板材料层(5)；所述高体积电阻率透射膜(2)的体积电阻率大于1×1015Ω·cm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
