[实用新型]半导体装置

摘要

本实用新型涉及半导体装置。本实用新型解决的一个问题是如何提高半导体装置的可靠性。本实用新型的半导体装置具有：第1层叠膜，隔着第1栅极绝缘膜形成在半导体基板上，包含第1选择栅电极及第1帽绝缘膜；第1存储器栅电极，隔着第2栅极绝缘膜而与第1选择栅电极的在第1方向延伸的第1侧壁相反侧的第2侧壁邻接，第1存储器栅电极在第1方向延伸；第1供电部，是第1方向中第1选择栅电极端部，在平面视图中第1供电部从第1帽绝缘膜露出；第1栓，与第1供电部的上表面连接，第1存储器栅电极相比于平面视图中第1供电部及第1帽绝缘膜之间边界更靠第1帽绝缘膜侧终止。本实用新型的一个用途是提高半导体装置的可靠性。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：第1层叠膜，隔着第1栅极绝缘膜形成在半导体基板上，由在沿着所述半导体基板的主面的第1方向上延伸的、第1选择栅电极以及所述第1选择栅电极上的第1帽绝缘膜构成；第1存储器栅电极，隔着包括第1电荷积蓄层的第2栅极绝缘膜而与所述第1选择栅电极的在所述第1方向上延伸的第1侧壁的相反侧的第2侧壁邻接，所述第1存储器栅电极在所述第1方向上延伸；第1供电部，是所述第1方向中的所述第1选择栅电极的端部，在平面视图中所述第1供电部从所述第1帽绝缘膜露出；以及第1栓，与所述第1供电部的上表面连接，所述第1存储器栅电极相比于平面视图中的所述第1供电部以及所述第1帽绝缘膜之间的边界更靠所述第1帽绝缘膜侧终止。