[实用新型]一种具有读取自参考功能的 2-1T1R RRAM 存储单元

摘要

本实用新型提供一种具有读取自参考功能的2-1T1R RRAM存储单元,该存储单元由两个传统的RRAM1T1R存储单元组成，一个为主存储单元，另外一个为参考存储单元。写操作时，将两个1T1R存储单元分别写入两个相反的状态，主存储单元写入‘1’，参考存储单元写入‘0’，则2-1T1R存储的值为‘1’；或者主存储单元写入‘0’，参考存储单元写入‘1’，则2-1T1R存储的值为‘0’；读操作时，参考存储单元作为产生主存储单元读取参考电流的参考单元。与传统的存储阵列使用固定读取参考电流或利用共享的参考单元产生读取参考电流相比，本实用新型读操作时的读裕度增加了一倍，大大提高了读取速度和成功率。

主权项

一种具有读取自参考功能的2‑1T1R RRAM存储单元，其特征在于：包括两个1T1R RRAM存储单元，分别记为1T1R1和1T1R2，其中一个作为主存储单元，另一个作为参考存储单元；所述1T1R RRAM存储单元包括一个阻变单元R和一个选择晶体管T，阻变单元R具有高阻态和低阻态两个状态，以实现‘0’和‘1’的写入；主存储单元的阻变单元R与参考存储单元的阻变单元R保持相反的阻态；主存储单元的值即2‑1T1R RRAM存储单元的值，参考存储单元为主存储单元产生读取参考电流。