[实用新型]一种OLED阵列基板及显示器有效
申请号: | 201420107401.2 | 申请日: | 2014-03-11 |
公开(公告)号: | CN203721731U | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 张玉婷;吴俊纬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型实施例提供了一种OLED阵列基板及显示器,涉及显示技术领域,可降低电极的电阻率,并避免增加构图工艺;该OLED阵列基板包括:包括有效像素显示区和外围布线区;所述有效像素显示区包括设置在衬底基板上的薄膜晶体管、依次设置在所述薄膜晶体管远离所述衬底基板一侧的第一电极、有机材料功能层、以及透明的第二电极;所述阵列基板还包括:设置在所述衬底基板和所述第一电极之间且位于同一层的多根金属线;其中,所述多根金属线均位于所述有效像素显示区和所述外围布线区,且在所述外围布线区,所述多根金属线与所述第二电极连接。用于需要降低电极电阻率的OLED阵列基板、显示器的制造。 | ||
搜索关键词: | 一种 oled 阵列 显示器 | ||
【主权项】:
一种OLED阵列基板,包括有效像素显示区和外围布线区;其特征在于,所述有效像素显示区包括设置在衬底基板上的薄膜晶体管、依次设置在所述薄膜晶体管远离所述衬底基板一侧的第一电极、有机材料功能层、以及透明的第二电极;所述阵列基板还包括:设置在所述衬底基板和所述第一电极之间且位于同一层的多根金属线;其中,所述多根金属线均位于所述有效像素显示区和所述外围布线区,且在所述外围布线区,所述多根金属线与所述第二电极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的