[实用新型]一种IGBT芯片有效
| 申请号： | 201420123728.9 | 申请日： | 2014-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN203774332U | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李立;吴郁;刘钺杨;刘江;王耀华;金锐;高文玉;于坤山 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;国网智能电网研究院;国网北京市电力公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种IGBT芯片。所述GBT芯片包括元胞区、终端区和焊盘区；焊盘区位于元胞区中心、终端区位于元胞区周围，包围元胞区；元胞区、终端区和焊盘区均包括N型衬底、设置在N型衬底表面并行排列的场氧化层和栅氧化层、在场氧化层和栅氧化层的表面覆盖有多晶硅层、在多晶硅层的表面覆盖有层间介质ILD；本实用新型在离子注入形成N+和P+区的同时对多晶硅栅进行掺杂，避免了传统工艺的繁琐工艺流程，同时可以减少一道光刻版。元胞结构中采用晶胞结构，可以避免套刻误差，同时可以再省一道光刻版。从多晶硅栅的形成到P+区形成的工艺流程中，至少减少了两次光刻，大大减少了工艺步骤，节约了器件制造的工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 芯片 | ||
【主权项】：
一种IGBT芯片，所述IGBT芯片包括元胞区、终端区和焊盘区；焊盘区位于元胞区中心、终端区位于元胞区周围，包围元胞区；所述元胞区、终端区和焊盘区均包括N型衬底(10)、设置在N型衬底(10)表面并行排列的场氧化层(11)和栅氧化层(21)、在场氧化层(11)和栅氧化层(21)的表面覆盖有多晶硅层(22)、在所述多晶硅层(22)的表面覆盖有层间介质ILD(61)； 其特征在于，在层间介质ILD(61)的表面覆盖有金属电极(81)；所述金属电极(81)包括沟槽形状的沟槽发射极；金属电极(81)上覆盖有钝化层(91)； 在焊盘区上，N型衬底(10)上设有焊盘区P环(33)，在焊盘区P环(33)上设有与金属电极(81)连接的P+区(52)，在P+区(52)上设有与金属电极(81)连接的N+区(41)，所述栅氧化层(21)与金属电极(81)之间形成晶胞结构； 所述元胞区的P‑阱区(31)对称设置在N型衬底(10)上，在P‑阱区(31)上设有与金属电极(81)连接的P+区(52)，在P+区(52)上设有与金属电极(81)连接的N+区(41)，所述栅氧化层(21)与金属电极(81)之间形成晶胞结构； 所述终端区的耐压环(32)对称设置在N型衬底(10)上，在耐压环(32)上设有与金属电极(81)连接的P+区(52)，在P+区(52)上设有与金属电极(81)连接的N+区(41)。
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