[实用新型]一种自带散热装置的雪崩光电二极管耦合器有效
申请号: | 201420126104.2 | 申请日: | 2014-03-20 |
公开(公告)号: | CN203774353U | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 项疆腾;王信群;袁昌明 | 申请(专利权)人: | 中国计量学院 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/024 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310018 浙江省杭州市江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种自带散热装置的雪崩光电二极管耦合器,包括散热装置和耦合器本体;所述散热装置由基板和肋片构成,基板上有通孔;所述耦合器本体一侧为光纤跳线接头,另一侧为APD接头;光纤跳线接头内部有变径通孔;APD接头内部有空腔;其特征在于:在耦合器本体上增加了散热装置。本实用新型加强了APD散热效果,结构合理,加工方便,安装简单,满足批量生产、使用的需要。 | ||
搜索关键词: | 一种 散热 装置 雪崩 光电二极管 耦合器 | ||
【主权项】:
一种自带散热装置的雪崩光电二极管耦合器,包括散热装置(1)和耦合器本体(2);所述散热装置(1)由基板(1a)和肋片(1c)构成,基板(1a)上有通孔(1b);所述耦合器本体(2)一侧为光纤跳线接头(2a),另一侧为APD接头(2d);光纤跳线接头(2a)内部有变径通孔(2b); APD接头(2d)内部有空腔(2c);其特征在于:在耦合器本体(2)上增加了散热装置(1)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的