[实用新型]一种电源自适应的电荷泵装置有效
申请号: | 201420135051.0 | 申请日: | 2014-03-24 |
公开(公告)号: | CN203813657U | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 徐光煜;郑欣;陈友福;罗建军;周塔 | 申请(专利权)人: | 上海智浦欣微电子有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及集成电路领域,公开了一种电源自适应的电荷泵装置,包含第一模拟开关、第二模拟开关、第三模拟开关、第四模拟开关及其驱动电路;第三模拟开关的驱动电路包含:第一反相器、第二反相器、第一缓冲电路、第一电平转换电路、第一PMOS管和第一NMOS管;第一PMOS管的驱动由工作在0与VDD之间的反相器构成,第一NMOS管的驱动由工作在-VSS与VOUT之间的反相器构成。第一PMOS管和第一NMOS管可以被分开驱动,避免之间直通,使得第三模拟开关的驱动电路在高压时可安全可靠地工作,使得耳放电路的电源电压应用范围更广。 | ||
搜索关键词: | 一种 电源 自适应 电荷 装置 | ||
【主权项】:
一种电源自适应的电荷泵装置,包含:第一模拟开关、第二模拟开关、第三模拟开关、第四模拟开关及其驱动电路;其特征在于,所述第三模拟开关的驱动电路包含:第一反相器、第二反相器、第一缓冲电路、第一电平转换电路、第一P沟道金属‑氧化物‑半导体场效应晶体PMOS管和第一N沟道金属‑氧化物‑半导体场效应晶体NMOS管;所述第一反相器的输入端为所述第三模拟开关的驱动电路输入端,所述第一反相器的输出端分别与所述第一缓冲电路的输入端和所述第一电平转换电路的输入端相连;所述第一缓冲电路的输出端与所述第一PMOS管的栅极相连;所述第一电平转换电路的输出端与所述第二反相器的输入端相连,所述第二反相器的输出端与所述第一NMOS管的栅极相连;所述第一电平转换电路的电源端与所述第二反相器的电源端分别连接内部低压电源VOUT;所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极相连作为所述第三模拟开关的驱动电路输出端。
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