[实用新型]一种采用倒装LED芯片的LED光源有效
申请号: | 201420135909.3 | 申请日: | 2014-03-24 |
公开(公告)号: | CN203826424U | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 刘天明;张沛 | 申请(专利权)人: | 木林森股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 张海文 |
地址: | 528400 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种采用倒装LED芯片的LED光源,包括导热基板、及若干焊接至导热基板上的LED芯片,LED芯片为倒装结构,其包括衬底、设置在衬底下方的n-GaN层、设置在n-GaN层下方一侧的p-GaN层、设置在n-GaN层下方另一侧的n电极、设置在p-GaN层下方的p电极、基片,基片上设置有正/负极触点,p电极和n电极分别通过导电凸点连接至正/负极触点,LED芯片焊接至导热基板上时,直接通过锡膏焊接即可,缩短了光源的传热距离,提升了产品的散热性能,提升产品质量、寿命,且由于倒装LED芯片结构做光源,无需通过引线焊接导电,LED出光不受电极及电极引线的遮挡,大大提高了LED产品的光效。 | ||
搜索关键词: | 一种 采用 倒装 led 芯片 光源 | ||
【主权项】:
一种采用倒装LED芯片的LED光源,其特征在于:包括导热基板、及若干焊接至导热基板上的LED芯片,所述LED芯片为一倒装结构,其包括衬底(1)、设置在衬底(1)下方的n‑GaN层(2)、设置在n‑GaN层(2)下方一侧的p‑GaN层(3)、设置在n‑GaN层(2)下方另一侧的n电极(4)、设置在p‑GaN层(3)下方的p电极(5)及基片(6),所述基片(6)上设置有正极触点(61)和负极触点(62),所述p电极(5)和n电极(4)分别通过导电凸点(7)连接至正极触点(61)和负极触点(62),且所述衬底(1)、n‑GaN层(2)、p‑GaN层(3)、n电极(4)、p电极(5)由封装胶体(8)封装。
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