[实用新型]大电流半导体器件结构有效
| 申请号： | 201420143532.6 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN203760459U | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 江炳煌 | 申请（专利权）人： | 福建福顺半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350001 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种大电流半导体器件结构，包括一封装外壳，其特征在于：所述封装外壳内设有一承载片，所述承载片包括承载位和承载引脚，所述承载位通过下层锡膏与芯片的下层铝垫紧密接触，所述芯片的上层铝垫通过上层锡膏与一接触导电片的触片紧密接触，所述接触导电片还设有接触导电引脚。本实用新型是利用预先设计好的一对上下对位的铜框架，没有超声波和挤压的力道施加于芯片，因此不会伤到芯片里层的电路，不会有可靠性的问题，同时互连是用铜框架上的铜片，其宽度可依电流的大小设计，可耐大电流，工艺技术也不需昂贵的机台设备，既可靠又经济。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
一种大电流半导体器件结构，包括一封装外壳，其特征在于：所述封装外壳内设有一承载片，所述承载片包括承载位和承载引脚，所述承载位通过下层锡膏与芯片的下层铝垫紧密接触，所述芯片的上层铝垫通过上层锡膏与一接触导电片的触片紧密接触，所述接触导电片还设有接触导电引脚。
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