[实用新型]一种密封环结构有效

专利信息
申请号: 201420148848.4 申请日: 2014-03-28
公开(公告)号: CN203812868U 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 赵书文 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 100176 北京市大兴区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开一种密封环结构,通过在金属层的边缘设置有多个连接柱的结构设计,改善了现有技术中由于连接柱柱底形貌特征和阻挡层不均匀所导致的连接柱底部与金属层之间的黏附性较差的问题。避免了进行切割工艺时,受施加于半导体基底或者晶圆上受机械应力的影响,使得连接柱底部与金属层之间的交界处接触面积不均匀和黏附性能不足,引起金属层与绝缘层之间的交界面发生断裂或者劈裂,进而使得断裂延伸到芯片区,造成芯片的分层断裂的现象,从而提高了切割后产品的良率。
搜索关键词: 一种 密封 结构
【主权项】:
一种密封环结构,其特征在于,包括: 绝缘层,所述绝缘层设置于半导体基底上; 多个金属层,每一金属层设置于所述绝缘层中的不同层位; 多组连接柱,每组连接柱包括若干个连接柱,每相邻两个金属层之间分布一组连接柱,每组连接柱中具有多个连接柱位于所述金属层的边缘。 
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