[实用新型]晶圆级封装结构有效
| 申请号： | 201420155134.6 | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN203967091U | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 王之奇;喻琼;王蔚 | 申请（专利权）人： | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华;应战 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种晶圆级封装结构，包括：待封装晶圆，所述待封装晶圆包括若干芯片区域；位于所述待封装晶圆芯片区域表面的焊垫和感光元件；覆盖于所述焊垫表面的第一围堤结构；与所述待封装晶圆表面相对设置的封装盖，且第一围堤结构顶部表面与封装盖表面相接触；位于所述封装盖表面的第二围堤结构，封装盖与待封装晶圆通过所述第二围堤结构固定接合，所述第二围堤结构位于第一围堤结构和感光元件之间，且所述第二围堤结构位于感光元件的两侧。采用本实用新型提供的晶圆级封装结构，在封装工艺的最后使封装盖和待封装晶圆之间分离，且未伤及晶粒，使得封装工艺后形成的芯片性能更优越。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：待封装晶圆，所述待封装晶圆包括若干芯片区域；位于所述待封装晶圆芯片区域表面的焊垫和感光元件；覆盖于所述焊垫表面的第一围堤结构；与所述待封装晶圆表面相对设置的封装盖，且第一围堤结构顶部表面与封装盖表面相接触；位于所述封装盖表面的第二围堤结构，封装盖与待封装晶圆通过所述第二围堤结构固定接合，所述第二围堤结构位于第一围堤结构和感光元件之间，且所述第二围堤结构位于感光元件的两侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
