[实用新型]类钻石薄膜连续型镀膜装置有效

专利信息
申请号: 201420160343.X 申请日: 2014-04-03
公开(公告)号: CN203834012U 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: 蒋绍洪 申请(专利权)人: 蒋绍洪
主分类号: C23C14/56 分类号: C23C14/56;C23C16/54;C23C14/06;C23C16/26
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 张海英;韩国胜
地址: 411199 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 实用新型公开一种类钻石薄膜连续型镀膜装置,包括依次设置的呈真空状态的进架室、DLC镀膜室以及出架室,还包括贯穿各室的轨道,轨道上设置用于装夹待镀膜基材的可在轨道上匀速移动的基材架,DLC镀膜室为可同时实现PVD磁控溅射和CVD气相沉积的复合镀膜腔室,其内设置用于镀制DLC膜的第一工作靶。本方案通过将PVD和CVD镀膜方式结合应用于DLC膜镀制,同时设置轨道和基材架,可以大面积连续的对待镀膜基材表面镀制DLC膜,与PECVD单体镀膜设备、激光及离子束沉积设备相比,其性价比突出并且生产成本低廉,量产能力远远高于PECVD等设备的量产能力,提高了生产效率,降低了生产成本。
搜索关键词: 钻石 薄膜 连续 镀膜 装置
【主权项】:
一种类钻石薄膜连续型镀膜装置,其特征在于,包括依次设置的呈真空状态的进架室、DLC镀膜室以及出架室,还包括贯穿所述进架室、所述DLC镀膜室以及出架室的轨道,所述轨道上设置用于装夹待镀膜基材的可在所述轨道上匀速移动的基材架,所述DLC镀膜室为可同时实现PVD磁控溅射和CVD气相沉积的复合镀膜腔室,所述DLC镀膜室内设置用于镀制DLC膜的第一工作靶。 
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