[实用新型]一种消除直流失调电压的运算放大器电路有效
申请号: | 201420163573.1 | 申请日: | 2014-04-04 |
公开(公告)号: | CN203775151U | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 江亮 | 申请(专利权)人: | 嘉兴禾润电子科技有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人: | 郑立 |
地址: | 314006 浙江省嘉兴市凌公塘*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种消除直流失调电压的运算放大器电路,包括两个跨导增益单元、一个阻抗单元、四个开关、三个电容,其中第一跨导增益单元包括4个P型MOS管,第二跨导增益单元包含3个N型MOS管;阻抗单元包含4个P型MOS管和4个N型MOS管,采用单端输出的套筒式共源共栅结构,将电流转化为电压并获得足够的增益;电容存储因工艺偏差等因素引起的失调信号,在开关控制闭环下实现直流失调的负反馈,本实用新型提出的差分输入单端输出运算放大器,通过电容采样失调信号,能有有效解决工艺偏差等因素导致的直流失调问题,电路结构简单,能和标准CMOS工艺兼容,易于应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 消除 直流 失调 电压 运算放大器 电路 | ||
【主权项】:
一种消除直流失调电压的运算放大器电路,其特征在于,包括第一跨导增益单元(1)、第二跨导增益单元(2)、阻抗单元(3),所述第一跨导增益单元(1)和所述第二跨导增益单元(2)均分别与所述阻抗单元(3)电连接;所述第一跨导增益单元(1)包括4个P型MOS管,分别为P型MOS管(MP1)、P型MOS管(MP2)、P型MOS管(MP3)和P型MOS管(MP4),所述P型MOS管(MP1)的漏极接所述P型MOS管(MP2)的源极,所述P型MOS管(MP1)的栅极接偏置电压(Vpb1),所述P型MOS管(MP2)的栅极接偏置电压(Vpb2),所述P型MOS管(MP3)的源级、所述P型MOS管(MP4)的源级和所述P型MOS管(MP2)的漏级相连,所述P型MOS管(MP3)的栅极和所述P型MOS管(MP4)的栅极分别接放大器电路的差分输入端(Vin)和(Vip);所述第二跨导增益单元(2)包括3个N型MOS管,分别为N型MOS管(MN1)、N型MOS管(MN2)和N型MOS管(MN3),所述N型MOS管(MN1)的源极、所述N型MOS管(MN2)的源极和所述N型MOS管(MN3)的漏级接在一起,所述N型MOS管(MN3)的栅极接偏置电压(Vnb1);所述阻抗单元(3)包含4个P型MOS管,分别为P型MOS管(MP5)、P型MOS管(MP6)、P型MOS管(MP7)和P型MOS管(MP8),所述阻抗单元还包括4个N型MOS管,分别为N型MOS管(MN4)、N型MOS管(MN5)、N型MOS管(MN6)和N型MOS管(MN7),所述P型MOS管(MP5)的漏级接所述P型MOS管(MP6)的源极,所述P型MOS管(MP7)的漏级接所述P型MOS管(MP7)的源极,所述P型MOS管(MP5)的栅极、所述P型MOS管(MP7)的栅极与所述偏置电压(Vpb1)连接,所述P型MOS管(MP6)的栅极、所述P型MOS管(MP8)的栅极与偏置电压(Vpb2)连接,所述P型MOS管(MP6)的漏级、所述N型MOS管(MN4)的栅极、所述N型MOS管(MN4)的漏级以及所述N型MOS管(MN5)的栅极接在一起,所述N型MOS管(MN4)的源极、所述N型MOS管(MN6)的栅极、所述N型MOS管(MN6)的漏级以及所述N型MOS管(MN7)的栅极接在一起,所述N型MOS管(MN5)的源极和所述N型MOS管(MN7)的漏级接在一起。
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