[实用新型]一种晶圆吸盘保护装置有效
| 申请号： | 201420176357.0 | 申请日： | 2014-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN203826361U | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 李大勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种晶圆吸盘保护装置，该装置至少包括：具有上、下表面的第一保护结构；穿过所述第一保护结构上、下表面的通槽；由侧壁围成且具有上表面的吸盘；所述吸盘沿其侧壁嵌入于所述第一保护结构的通槽；所述吸盘上表面高于所述第一保护结构的上表面；完全覆盖并背面吸附于所述吸盘上表面的晶圆；所述第一保护结构的上表面嵌有围绕所述吸盘的第二保护结构；所述第二保护结构接触于所述晶圆边缘或背面。本实用新型的晶圆吸盘保护装置在晶圆受到离子束轰击的同时，使得所述晶圆吸盘在所述第二保护结构的保护下避免受离子束轰击，延长了所述第一保护结构的使用寿命，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 吸盘 保护装置 | ||
【主权项】：
一种晶圆吸盘保护装置，其特征在于，所述晶圆吸盘保护装置至少包括：具有上、下表面的第一保护结构；穿过所述第一保护结构上、下表面的通槽；由侧壁围成且具有上表面的吸盘；所述吸盘沿其侧壁嵌入于所述第一保护结构的通槽；所述吸盘上表面高于所述第一保护结构的上表面；完全覆盖并背面吸附于所述吸盘上表面的晶圆；所述第一保护结构的上表面嵌有围绕所述吸盘的第二保护结构；所述第二保护结构接触于所述晶圆边缘或背面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
