[实用新型]一种小尺寸半导体LED共晶晶片有效
| 申请号： | 201420181374.3 | 申请日： | 2014-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN203950832U | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 严敏;程君;周鸣波 | 申请（专利权）人： | 严敏;程君;周鸣波 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人： | 陈惠莲 |
| 地址： | 100097 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种小尺寸半导体LED共晶晶片，所述小尺寸半导体LED共晶晶片为顶部出光的倒模倒装结构的塔形LED晶片，自上而下包括：蓝宝石或SiC衬底、N型导电层、P型导电层、ITO电流扩散层、正、负电极和正、负电极之间的绝缘隔离层；其中所述正、负电极包括焊盘，所述焊盘的焊接面暴露于所述LED共晶晶片底部的下方和/或暴露于所述LED共晶晶片底部的侧面；所述小尺寸半导体LED共晶晶片为尺寸在300μm～19μm，厚度不小于0.001μm，功率在80mW-0.001mW的LED晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 半导体 led 晶片 | ||
【主权项】：
一种小尺寸半导体LED共晶晶片，其特征在于，所述小尺寸半导体LED共晶晶片为顶部出光的倒模倒装结构的塔形LED晶片，自上而下包括：蓝宝石或SiC衬底、N型导电层、P型导电层、ITO电流扩散层、正、负电极和正、负电极之间的绝缘隔离层；其中所述正、负电极包括焊盘，所述焊盘的焊接面暴露于所述LED共晶晶片底部的下方和/或暴露于所述LED共晶晶片底部的侧面；所述小尺寸半导体LED共晶晶片为尺寸在300μm～19μm，厚度不小于0.001μm，功率在80mW‑0.001mW的LED晶片。
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