[实用新型]复合器件及开关电源

摘要

本实用新型提供了一种复合器件及开关电源，该复合器件集成有第一增强型MOS器件和耗尽型MOS器件，包括：第一掺杂类型的外延区；并列形成在所述外延区正面的第一阱区和第二阱区；第一掺杂类型的第一掺杂区，形成于所述第一阱区中；第一增强型MOS器件的栅极；第一掺杂类型的第二掺杂区，形成于所述第二阱区内；第一掺杂类型的沟道区，该沟道区从所述第二阱区的边界延伸至所述第二掺杂区的边界；耗尽型MOS器件的栅极。该开关电源包括上述复合器件。本实用新型有利于降低工艺复杂度、减小芯片面积和成本，而且可以适用于大功率的应用场景。

主权项

一种复合器件，其特征在于，该复合器件集成有第一增强型MOS器件和耗尽型MOS器件，该复合器件包括：第一掺杂类型的外延区，该外延区作为所述第一增强型MOS器件和耗尽型MOS器件的漏极；并列形成在所述外延区正面的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和第二阱区具有第二掺杂类型，该第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；第一掺杂类型的第一掺杂区，形成于所述第一阱区中，该第一掺杂区作为所述第一增强型MOS器件的源极；第一增强型MOS器件的栅极，形成于所述外延区的正面，该第一增强型MOS器件的栅极覆盖所述第一掺杂区的至少一部分并延伸至所述第一阱区以外的外延区上；第一掺杂类型的第二掺杂区，形成于所述第二阱区内，该第二掺杂区作为所述耗尽型MOS器件的源极；第一掺杂类型的沟道区，位于所述第二阱区内，并且该沟道区从所述第二阱区的边界延伸至所述第二掺杂区的边界；耗尽型MOS器件的栅极，形成于所述外延层的正面，该耗尽型MOS器件的栅极覆盖所述沟道区并延伸至所述第二阱区以外的外延区上；其中，所述外延区与第一电极短路，该第一电极形成于所述外延区的背面；所述第一阱区和第一掺杂区经由第二电极短路，所述第二阱区和第二掺杂区经由第三电极短路，该第二电极和第三电极形成于所述外延区的正面。