[实用新型]薄膜晶体管及像素结构有效

专利信息
申请号: 201420242541.0 申请日: 2014-05-13
公开(公告)号: CN203850307U 公开(公告)日: 2014-09-24
发明(设计)人: 刘恩池;陈盈惠;吕雅茹;黄彦余 申请(专利权)人: 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L27/12
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 胡晶
地址: 215217 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种薄膜晶体管,包括栅极、信道、阻挡层、源极与漏极。信道与栅极重叠。阻挡层覆盖部份信道且具有暴露出信道相对二连接部的环状开口。部份阻挡层位于源极与信道之间以及漏极与信道之间。源极以及漏极填入阻挡层的环状开口而与信道的连接部电性连接。此外,一种包括上述薄膜晶体管的像素结构被提出。
搜索关键词: 薄膜晶体管 像素 结构
【主权项】:
一种薄膜晶体管,包括:一栅极;一信道,与该栅极重叠;一阻挡层,覆盖部份的该信道且具有一环状开口,该环状开口暴露出该信道的相对的二连接部;一源极以及一漏极,部份的该阻挡层位于该源极与该信道之间以及该漏极与该信道之间,该源极以及该漏极填入该阻挡层的该环状开口而分别与该信道的该些连接部电性连接。
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