[实用新型]一种DRAM双芯片堆叠封装结构有效
申请号: | 201420242768.5 | 申请日: | 2014-05-13 |
公开(公告)号: | CN203839371U | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 孟新玲;隋春飞;刘昭麟;户俊华;栗振超 | 申请(专利权)人: | 山东华芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/492 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 丁修亭 |
地址: | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种DRAM双芯片堆叠封装结构,包括:基板,设有基板电路并具有第一面和与该第一面相对的第二面;第一芯片,正面朝向基板而倒装于所述基板;第二芯片,背面贴装于所述第一芯片的背面,并通过引线与所述基板键合;以及封装体,用于将基板、第一芯片以及第二芯片封装为一体。依据本实用新型的封装结构的整体结构比较简练。 | ||
搜索关键词: | 一种 dram 芯片 堆叠 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种DRAM双芯片堆叠封装结构,其特征在于,包括:基板(1),设有基板电路并具有第一面和与该第一面相对的第二面;第一芯片(3),正面朝向基板(1)而倒装于所述基板(1);第二芯片(5),背面贴装于所述第一芯片的背面,并通过引线(6)与所述基板(1)键合;以及封装体(2),用于将基板(1)、第一芯片(3)以及第二芯片(5)封装为一体。
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