[实用新型]双极型功率晶体管基片有效
| 申请号： | 201420245891.2 | 申请日： | 2014-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN203826396U | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 王强栋;霍彩红;董军平;刘青林;秦龙;潘宏菽 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种双极型功率晶体管基片，涉及晶体管技术领域。所述基片包括晶圆片，所述晶圆片的下表面从上到下依次设有钛金属层、镍金属层和金金属层。所述基片提高了双极型功率晶体管的背面金属与晶圆片背面的粘附性能，又保证了管芯在与管座烧结在一起时的牢固可靠，同时又避免了烧结时容易在大功率芯片背面烧结处出现空洞造成功率晶体管热斑对晶体管可靠性形成威胁的被动局面，主要适合于金金属化系统，即管座烧结处是镀金的，芯片背面金属也是以金为主要参与烧结的金属体系。 | ||
| 搜索关键词： | 双极型 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种双极型功率晶体管基片，其特征在于：包括晶圆片（1），所述晶圆片（1）的下表面从上到下依次设有钛金属层（2）、镍金属层（3）和金金属层（4）。
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