[实用新型]一种太阳能电池有效
申请号: | 201420253543.X | 申请日: | 2014-05-16 |
公开(公告)号: | CN203839392U | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 李琳琳;丁建;张庆钊;彭东阳;顾世海;韩安军;郁操 | 申请(专利权)人: | 北京汉能创昱科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 102209 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型所述的太阳能电池,属于太阳能电池领域;包括具有下表面和上表面的N型结晶硅片;下表面划分为交替间隔排列的若干P型区域和若干N型区域,仅在P型区域设置本征非晶硅层,N型区域直接设置N型掺杂非晶硅层;不但可以降低P型区域的表面复合速率,还可以在N型区域形成由N型掺杂非晶硅层指向N型结晶硅片的电场,使得少数载流子(空穴)不易到达N型掺杂非晶硅层而被复合,有效降低了串联电阻,从而减少了电量的损耗,最终提高了所述太阳能电池的转换效率。所述的太阳能电池的上表面(受光面)未设置任何光线遮挡部件,可有效提高入射光的吸收率,从而提高输出功率;而且,所述太阳能电池的产品结构决定其无需采用高温加工工艺,成品率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于:包括具有下表面和上表面的N型结晶硅片;下表面划分为交替间隔排列的若干P型区域和若干N型区域;沿远离N型结晶硅片的方向,P型区域设置有依次堆叠的本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层和第一电极层,N型区域设置有依次堆叠的N型掺杂非晶硅层和第二电极层;相邻P型区域和N型区域由绝缘隔离层隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的